设备名称：电感耦合等离子体深硅刻蚀机
设备型号：SI 500
设备厂家：SENTECH Instruments GmbH
设备简介：该设备通过电感耦合（ICP）方式产生高密度等离子体，按掩膜图形、实现对硅基材料的各向异性干法刻蚀。
用途：主要用于硅基材料的各向异性干法刻蚀。不支持金属和III-V族化合物半导体刻蚀。
技术指标：
1）样品尺寸：8inch及向下兼容、小碎片
2）工艺气体：CHF3、CF4、SF6、C4F8、Ar、O2
3）工艺温度：-20~200℃
4）极限真空：1E10-6mbar
5）刻蚀材料：硅基，包括Si、SiO2、SiNx、SiC
6）刻蚀能力：Si刻蚀速率大于200nm/min，其它介质膜刻蚀速率大于100nm/min
7）均匀性：≤土5%(去边5mm)
设备负责人及联系方式：
赵锐超 15803221403 zhaoruichao@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
