设备名称：电子束曝光系统

设备型号：CABL-UHF110E

设备厂家：Crestec

设备简介：利用高能电子束与光刻胶相互作用，使得衬底表面光刻胶的特定图形区域被电子束曝光形成纳米级分辨率的图形。基于纳米级图形化，通过转移图形到衬底，即可制备相应的纳光电子器件，可以适用于多种类型衬底材料，包括氮化硅、氧化硅、氮化铝、III-V族、铌酸锂薄膜、超导薄膜等构建的光电芯片、纳光电子芯片、光量子芯片、纳米光学器件、衍射光学元件等。

用途：用于高精度微纳结构的加工及芯片制造

性能指标：

1）最大加速电压：110KeV，加速电压最小可以5KeV步进调节

2）最大使用电子束流：≥100nA

3）样品尺寸：8寸向下兼容

4）衬底材料：氮化硅、氧化硅、氮化铝、III-V族、铌酸锂薄膜、超导薄膜等；不支持磁性样品

5）束流范围：20pA~100nA

6）最小线宽: 光刻胶厚度：≥ 100 nm，线条宽度： ≤50 nm ；

7）套刻精度:

 30 nm (Mean + 3 sigma, 60μm写场)；  50 nm (Mean + 3 sigma, 1000μm写场)

8）拼接精度：

             15 nm (Mean + 3 sigma, 60μm写场)；  50 nm (Mean + 3 sigma, 1000μm写场)

设备负责人及联系方式：

许清源 15382358875 xuqingyuan@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn