设备名称：电子束曝光系统

设备厂家：Crestec, JP

设备简介：利用高能电子束与光刻胶相互作用，使得衬底表面光刻胶的特定图形区域被电子束曝光形成纳米级分辨率的图形。基于纳米级图形化，通过转移图形到衬底，即可制备相应的纳光电子器件，可以适用于多种类型衬底材料，包括氮化硅、氧化硅、氮化铝、III-V族、铌酸锂薄膜、超导薄膜等构建的光电芯片、纳光电子芯片、光量子芯片、纳米光学器件、衍射光学元件、闪耀光栅等。

设备用途：用于高精度微纳结构的加工及芯片制造

性能指标：

1）最大加速电压：110KeV，加速电压最小可以5KeV步进调节

2）最大使用电子束流：≥100nA

3）样品尺寸：8寸向下兼容，碎片尺寸≥1cm×1cm

      4）衬底材料：氮化硅、氧化硅、氮化铝、III-V族、铌酸锂薄膜、超导薄膜等；不支持磁性样品

5）束流范围：20pA~100nA

6）最小线宽：光刻胶厚度：≥ 100 nm，线条宽度： ≤50 nm 

7）套刻精度：30 nm (Mean + 3 sigma, 60μm写场)；  50 nm (Mean + 3 sigma, 1000μm写场)

8）拼接精度：15 nm (Mean + 3 sigma, 60μm写场)；  50 nm (Mean + 3 sigma, 1000μm写场)

注意事项：

        1）获首次授权自主操作的新用户（简称：新用户），学期内连续2个月及以上时间内未登录使用设备（以系统日志为准），如需使用，该新用户需在系统预约EBL观摩课程，责任工程师确认无误，方能使用，并按实际发生机时收取机时费；学期内连续3个月及以上时间内未登录使用设备（以系统日志为准），如需使用，该新用户需在系统预约EBL考核，责任工程师确认考核通过，方能使用，并按实际发生机时收取机时费；如未能通过考核，用户需在系统预约新用户培训、考核通过、取得授权后方能使用，且按新用户培训收费。

  2）EBL为7×24h运行模式，支持授权用户夜间自主上机实验，规范操作。夜间和周末的代工需求，应提前与责任工程师商议。

设备负责人及联系方式：

许清源 15382358875 xuqingyuan@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn

褚赛赛 13718810463 chusaisai@pku.edu.cn