设备名称：铌酸锂刻蚀机
设备厂家：ULVAC， JP
设备简介：ULVAC NLD(neutral loop discharge，磁中性环路放电)较ICP而言，可在真空腔内形成高频电场，并由此产生等离子体。通过改变电流大小可以控制等离子体的直径及密度，所以具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电等优点。可获得高深宽比、高速率和选择比的刻蚀结果。
设备用途：主要用于SiO2、LiNbO3薄膜刻蚀，刻蚀速率约40nm/min。（只支持光刻胶做掩膜刻蚀氧化硅和铌酸锂薄膜）。
技术指标：
1）样品尺寸：8inch及以下标准晶圆、小碎片
2）工艺气体：CHF3、CF4、C4F8、Ar、O2
3）刻蚀材料：薄膜铌酸锂(LiNbO3)、SiO2
4）刻蚀能力：LiNbO3：0.1-0.3um/min
5）均匀性:≤土5%(去掉5mm边缘)
设备负责人及联系方式：
俞洪韬 18161093651 yuhongtao@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
