设备名称：CMP 化学机械抛光机
设备型号：CTS AP200
设备厂家：韩国 CTS
技术指标：
1、设备为科研级 8 寸半自动 CMP 抛光系统，可兼容 4 inch、6 inch、8 inch 晶圆抛光工艺；
2、CMP 工艺通过抛光液中的化学反应与抛光垫机械磨削共同作用，实现薄膜材料去除、表面平坦化和晶圆表面质量改善，适用于氧化物、氮化硅、介质膜、STI 等工艺开发；
3、抛光头采用气囊柔性加载方式，支持核心区、边缘区、保持环三区压力控制，压力范围 0.14～14 psi；
4、抛光头转速 0～200 rpm，抛光头摆动范围 ±15 mm；抛光盘尺寸 20 inch，抛光盘转速 0～200 rpm；
5、支持自动上下片、自动抛光，采用干进湿出方式，工艺数据可实时监测，并可存储多组 Recipe；
6、抛光液系统配置 2 个蠕动泵，抛光液流速 20～500 cc/min；
7、抛光垫修整器支持 10 区分区控制，具备在线修整与离线修整模式，修整器压力范围 3～20 lbs，转速 0～150 rpm；
8、设备 CMP 后片内非均匀性 WIWNU（1 sigma，去边 5 mm）＜5%，片间非均匀性 WTWNU（1 sigma，去边 5 mm）＜3%；
9、当前1 min 去除量工艺能力如下：
| 晶圆尺寸 | 薄膜类型 | 1 min 去除量 表面粗糙度 均匀性 |
|---|
| 4 inch | LP-TEOS | 350 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | PE-TEOS | 265 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | PE-SiN | 150 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | LP-SiN | 50 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 6 inch | LP-TEOS | 150 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 6 inch | LP-SiN | 40 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 8 inch | PE-SiN | 155 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 8 inch | PE-TEOS | 270 nm ＜0.2nm ＜5% |
设备负责人及联系方式：
陈豪 18737803719 chenh@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
