设备名称：CMP 化学机械抛光机（含后清洗）
设备厂家： CTS
技术指标：
1）、CTS AP200 设备为科研级 8 寸半自动 CMP 抛光系统，可兼容 4 inch、6 inch、8 inch 晶圆抛光工艺；
2）、抛光头转速 0～200 rpm，抛光头摆动范围 ±15 mm；抛光盘尺寸 20 inch，抛光盘转速 0～200 rpm；
3）、CMP 后片内非均匀性 WIWNU（1 sigma，去边 5 mm）＜5%，片间非均匀性 WTWNU（1 sigma，去边 5 mm）＜3%；
4）、当前1 min 去除量工艺能力如下：
| 晶圆尺寸 | 薄膜类型 | 1 min 去除量 表面粗糙度 均匀性 |
|---|
| 4 inch | LP-TEOS | 350 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | PE-TEOS | 265 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | PE-SiN | 150 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 4 inch | LP-SiN | 50 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 6 inch | LP-TEOS | 150 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 6 inch | LP-SiN | 40 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 8 inch | PE-SiN | 155 nm ＜0.2nm ＜5% |
| 8 inch | PE-TEOS | 270 nm ＜0.2nm ＜5% |
设备负责人及联系方式：
陈豪 18737803719 chenh@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
