设备名称：紫外曝光系统

设备厂家：SUSS

设备简介：SUSS MA/BA6 Gen4紫外曝光系统是面向半导体、微电子及MEMS领域的高精度光刻设备，适用于研发与中小批量产。该系统搭载LED光源，支持365nm波长及近紫外波段，具备优异的曝光均匀性（±2%以内）和亚微米级分辨率，可满足2um晶圆级图形的精密加工需求。模块化设计兼容4-6英寸基片，配备全自动掩膜-基片对准系统（精度±0.5um）。设备兼具科研灵活性与工业级可靠性。

设备用途：双面对准，接触式曝光

性能指标：

1）工作波长：350-450nm

2）样品尺寸：10-20mm小片及2、4、6inch

3）掩模版尺寸：2.5、5、7inch

4）最大晶圆厚度：5mm

5）分辨率：0.8mm（光刻胶厚度1微米时，等间距图形 PR thickness 1um, L/S 1:1）

6）套刻精度：正面不低于TSA±0.25mm；背面不低于BSA±1mm

7）接触式曝光：距离可调节范围：1mm—300mm

设备负责人及联系方式：

许清源 15382358875 xuqingyuan@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn