设备名称：等离子体增强化学气相沉积系统（含TEOS）
设备型号：PD-220NL
设备厂家：Samco Inc
设备简介：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。PD-220NL机台支持8inch，可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的硅基薄膜，包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅，并具有优异的稳定性和可重复性。
用途：主要用于沉积生长SiO2、SiNx绝缘介质薄膜。
注：
（1）常规工艺有250℃、350℃，对于温度有要求，请至少提前1个工作日预约。
（2）每课题组/单位每炉使用生长SiO2累计厚度最厚1um，需清腔一次。清洗程序须在设备负责人现场指导下实施。
（3）每课题组/单位每炉使用生长SiNx累计厚度500nm及以上，需清腔一次。清洗程序须在设备负责人现场指导下实施。
（4）使用氘代硅烷（SiD4）需提前一周预约。
技术指标：
1）样品尺寸：8"及向下兼容
2）工艺温度：最高350℃
3）射频功率：600W，13.56MHz
4）气体种类：TEOS、SiH4、SiD4、N2O、NH3、N2、CF4、O2
5）
SiNx Deposition: 沉积速率：≥20 nm/min，折射率：1.95-2.03，应力：-200Mpa-200Mpa，均匀性：≤±5%
SiO2 Deposition：沉积速率：≥20 nm/min，折射率：1.45-1.50，应力：-400Mpa-50Mpa，均匀性：≤±5%
TEOS-SiO2 Deposition： 沉积速率：≥20 nm/min， 折射率：1.45-1.48，应力：-200Mpa-0Mpa，均匀性：≤±5%
6）加工能力：
2inch 16pcs/炉； 3inch 4pcs/炉； 4inch 4pcs/炉；6inch 1pcs/炉； 8inch 1pcs/炉
设备负责人及联系方式：
陈豪 18737803719 chenh@pku.edu.cn， gngFab@pku.edu.cn
