设备名称：电感耦合增强等离子化学气相沉积系统
设备型号：SI 500 D
设备厂家：SENTECH Instruments GmbH
设备简介：SI 500 D 是一款高密度感应耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）系统，可低温生长低损伤介电薄膜。设备集成了平面三重螺旋天线（PTSA）射频等离子体源、动态温控基底电极及全自动真空系统，能够在室温~400℃范围内稳定地制备 SiO₂、Si3N4、SiONx、SiC 及 TEOS-SiO₂等多种薄膜，适用于科研及工业量产。
用途：用于在半导体器件制备过程中，通过沉积介质膜、制备器件的钝化层、隔离层、绝缘层等功能层，以及沉积介质膜、作为干法沉积工艺的硬掩膜。
技术指标：
1）样品尺寸：8”及以下标准晶圆、小碎片
2）加热温度：RT~300℃
3）极限真空：1E10-6mbar
4）速率：15nm/min
5）膜厚不均匀性：8英寸硅片镀制150nm以上的薄膜，均匀性≤土5%（去边5mm）
6）薄膜类型：SiO₂、Si3N4、SiONx、SiC 及 TEOS-SiO₂；如果需要生长其他薄膜，请提前
一周沟通
设备负责人及联系方式：
陈悦 15620508070 chen.yue@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
