设备名称：原子层沉积系统
设备型号：TFS 200
设备厂家：BENEQ
设备简介：BENEQ TFS 200是一款高灵活性原子层沉积（ALD）研发平台，支持6寸及以下晶圆，标配电容耦合等离子体增强ALD（PEALD）及热法ALD，工艺温度25–500℃，热壁反应室/冷壁真空腔结构确保均匀沉积。
用途：用于8inch及向下兼容硅片或其他平面基底材料，也可以是多孔材料，或是具有较高深宽比的复杂的三维物体的：Al2O3、HfO2、SiO2沉积镀膜。
技术指标：
1）样品尺寸：8inch及向下兼容
2）极限真空：2×E-2 torr
3）工艺温度：PE腔体≤350℃，热法AISI316L腔体≤500℃
4）薄膜类型：Al2O3、HfO2、SiO2；其他薄膜生长需自备前驱体源，并请提前沟通
5）膜厚不均匀性：8inch硅片镀制50nm以上的Al2O3薄膜，均匀性≤±1%(去边5mm)
设备负责人及联系方式：
陈悦 15620508070 chen.yue@pku.edu.cn， gngFab@pku.edu.cn
