设备名称：低压化学气相沉积系统
设备型号：TS150-25W-4T
设备厂家：ECM GREENTECH
设备简介：ECM GREENTECH TS150-25W-4T 是一款模块化批处理卧式炉管，支持≤6寸(150mm） 晶圆，退火和氧化炉满舟50片,氮化硅和TEOS满舟可装载25片，4腔独立控温、多气体/液相前驱物工艺，并配备高精度数字直流控温系统与PLC界面，适用于半导体及材料研究中的多样化热处理。
用途：LPCVD设备配置4管6寸片工艺，用于高温退火工艺，干法湿法氧化工艺，可控化学计量比氮化硅（Si3N4）及低应力氮化硅（SiNx）、及TEOS氧化硅（TEOS-SiO2）沉积工艺。
技术指标：
1）样品尺寸：6inch和4inch标准晶圆
2）加热温度：高温退火工艺温度1200℃，干氧湿氧工艺温度1050℃，氮化硅工艺温度 850℃（max），TEOS-SiO2温度850℃（max）
3）极限真空：3 mtorr
4）生长速率：氧化工艺满足标准迪尔格罗夫氧化模型、氮化硅生长速率20-40Å/min可 调，TEOS-SiO2生长速率50-80Å/min可调
5）膜厚不均匀性：6inch硅片氧化工艺均匀性≤1.5%，6inch硅片氮化硅工艺均匀性≤
3%，6inch硅片TEOS-SiO2工艺均匀性≤3%（去边10mm）
6）薄膜类型：氮化硅（Si3N4）、氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiNO）、TEOS-SiO2、
干/湿法氧化
7）龙舟类型：SiC龙舟和石英龙舟
设备负责人及联系方式：
陈悦 15620508070 chen.yue@pku.edu.cn，gngFab@pku.edu.cn
